SUP85N10-10-E3

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Der SUP85N10-10-E3 ist so konzipiert, dass er in verschiedenen Anwendungen optimale Leistung und Haltbarkeit bietet. Bekannt für seine hochwertige Konstruktion und innovativen Funktionen, ist er die bevorzugte Wahl für Fachleute.

Hauptmerkmale des SUP85N10-10-E3 :

  • Hohe Leistung: Ingenieurtechnisch entworfen, um hervorragende Ergebnisse zu liefern.
  • Robuste Konstruktion: Aus hochwertigen Materialien für lang anhaltende Nutzung hergestellt.
  • Innovatives Design: Integriert die neueste Technologie für erhöhte Effizienz.
  • Kosteneffizient: Bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis zu wettbewerbsfähigen Preisen.

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Marke Vishay
Produkt SUP85N10-10-E3
Interner Code IMP4434653
Technische Spezifikation Transistorpolung: N-Channel Anzahl der Kanäle: 1 Channel Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 100 V Id - Drain-Gleichstrom: 85 A Rds On - Drain-Source-Widerstand: 8.5 mOhms Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 1 V Qg - Gate-Ladung: 160 nC Minimale Betriebstemperatur: - 55 C Maximale Betriebstemperatur: + 175 C

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